Операция выполнена!
Закрыть
Тайваньские исследователи разработали сверхтонкий буферный слой, который может решить одну из главных проблем транзисторов на основе двумерных полупроводников. Прослойка из оксида алюминия имеет толщину около 0,42 нм — всего несколько атомов — и позволяет разместить изолятор максимально близко к проводящему каналу.
Читайте также
ЛЕНТА

ПИШИТЕ

Техническая поддержка проекта ВсеТут

info@vsetut.pro