Операция выполнена!
Закрыть
Ученые Университета Небраски в Линкольне подтвердили необычное свойство оксида гафния (HfO₂) — материала, который уже используется в современных процессорах и микросхемах. Исследование показало, что он является полноценным антиферроэлектриком, причем сохраняет свои свойства даже в пленках толщиной всего 0,6 нанометра и выдерживает нагрев до 850 °C.
Читайте также
ЛЕНТА

ПИШИТЕ

Техническая поддержка проекта ВсеТут

info@vsetut.pro