Samsung Electronics устроила масштабную кадровую перестановку, переместив инженеров в свой центр полупроводников следующего поколения в Пхёнтхэке, как пишет digitimes.
Корейские СМИ предполагают, что перестановками руководил Юнг-Хён Джун (Young-hyun Jun), исполнительный вице-президент и глава подразделения Device Solutions (DS) компании Samsung.
Целью перераспределения является повышение производительности в передовых процессах DRAM и устранение отставания Samsung в области высокоскоростной памяти (HBM), что является ключевой инициативой по оживлению полупроводникового подразделения.
Фото samsung
Южнокорейское издание SBS сообщило, что более 2000 инженеров из кампусов Samsung Giheung и Hwaseong были перемещены в Пхёнтхэк. Это позволило расположить инженеров ближе к производственной базе, чтобы улучшить управление процессами и качество продукции.
Перераспределение ориентировано на инженеров, специализирующихся на оптимизации показателей выхода годной продукции при переходе от разработки к массовому производству.
Сообщается, что Samsung ускоряет закупку оборудования для своего завода P4 в Пхёнтхэке, где, как ожидается, начнется массовое производство памяти DRAM шестого поколения с 10-нм техпроцессом (1c DRAM).
Однако компания заявила, что эти сообщения необоснованны.