
Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае представили полупроводниковую память PoX, которая устанавливает мировой рекорд скорости записи данных — 400 пикосекунд (0,4 наносекунды) на бит. Это позволяет выполнять до 25 миллиардов операций в секунду, что в 12,5 тыс. раз быстрее предыдущего рекорда энергонезависимой флэш-памяти. Результаты работы открывают путь к созданию нового класса устройств хранения данных, способных соперничать с оперативной памятью (DRAM) по скорости, но без потери информации при отключении питания.
Ключевым отличием PoX от традиционной флэш-памяти стал переход от кремниевых каналов к двумерному дираковскому графену. Этот материал, благодаря особому переносу заряда, обеспечивает движение электронов без рассеяния, что резко снижает задержки. Учёные оптимизировали длину канала, добившись эффекта двумерной суперинжекции — механизма, который устраняет «узкое место» при инжекции заряда в ячейку памяти. По словам руководителя проекта, профессора Чжоу Пэна, использование алгоритмов ИИ для расчёта параметров структуры позволило приблизиться к теоретическому пределу скорости.

«Представьте, что USB-накопитель вместо тысячи операций в секунду начинает выполнять миллиард — именно такой скачок мы совершили», — пояснил соавтор исследования Лю Чуньсэнь. Современные флэш-чипы, применяемые в SSD-накопителях, тратят на запись микро- или миллисекунды, что критически замедляет работу нейросетей, обрабатывающих терабайты данных в реальном времени. PoX, сохраняя информацию без постоянного питания, может заменить не только медленную флэш-память, но и энергозатратные кэши SRAM в чипах ИИ, сократив площадь кристалла и потребление на 30–50%.
Технология особенно перспективна для устройств с ограниченным энергопакетом — например, смартфонов или периферийных ИИ-устройств. В перспективе она позволит реализовать мгновенное включение гаджетов и хранение всего рабочего набора данных в постоянной памяти, ускорив обучение нейросетей и логический вывод. Кроме того, PoX может стать основой для экосистемы «зелёных» вычислений, где энергия тратится не на перемещение данных, а на их обработку.
Несмотря на отсутствие данных о долговечности ячеек (количество циклов перезаписи) и совместимости с массовым производством, разработка уже привлекла внимание китайских фабрик полупроводников. Сейчас команда Фуданьского университета тестирует массивы ячеек PoX и работает над увеличением их плотности. Коммерческие образцы могут появиться к концу 2026 года.
-
20.04.2025 17:50:00 | iXBT.com
20.04.2025 17:27:00 | iXBT.com
20.04.2025 17:24:00 | iXBT.com
20.04.2025 17:16:00 | iXBT.com
20.04.2025 17:16:00 | iXBT.com
20.04.2025 17:06:00 | iXBT.com
20.04.2025 16:36:00 | iXBT.com
20.04.2025 16:15:00 | iXBT.com
20.04.2025 16:08:00 | iXBT.com
20.04.2025 15:46:50 | TechCult.ru
20.04.2025 15:42:00 | iXBT.com
20.04.2025 15:20:00 | iXBT.com
20.04.2025 15:12:00 | iXBT.com
20.04.2025 14:47:00 | iXBT.com
20.04.2025 14:29:00 | iXBT.com
20.04.2025 14:18:00 | iXBT.com
20.04.2025 14:16:00 | iXBT.com
20.04.2025 14:05:00 | iXBT.com
20.04.2025 13:48:00 | iXBT.com
20.04.2025 13:33:00 | iXBT.com
20.04.2025 12:18:00 | iXBT.com
20.04.2025 11:50:00 | iXBT.com
20.04.2025 10:59:00 | iXBT.com
20.04.2025 10:53:50 | TechCult.ru
20.04.2025 10:34:00 | iXBT.com
20.04.2025 10:13:00 | iXBT.com
20.04.2025 09:50:00 | iXBT.com
20.04.2025 09:18:00 | iXBT.com
20.04.2025 09:04:00 | iXBT.com
20.04.2025 08:37:00 | iXBT.com
20.04.2025 08:31:52 | Ведомости
20.04.2025 08:19:00 | iXBT.com
20.04.2025 08:11:00 | iXBT.com
-
21.04.2025 08:01:19 | ferra.ru
21.04.2025 06:00:11 | ferra.ru
21.04.2025 05:00:10 | Хабр
21.04.2025 04:30:08 | ferra.ru
21.04.2025 04:00:47 | Хабр
21.04.2025 03:45:54 | Хабр
21.04.2025 03:45:07 | ferra.ru
21.04.2025 02:45:00 | Woman.ru
21.04.2025 02:15:05 | ferra.ru
21.04.2025 00:00:55 | ferra.ru
20.04.2025 23:15:51 | ferra.ru
20.04.2025 22:39:04 | Хабр
20.04.2025 22:30:00 | ferra.ru
Техническая поддержка проекта ВсеТут