Установка размером с двухэтажный автобус, массой 150 тонн и ценой 350 млн евро. Intel и Samsung нарастили заказы на литографические машины ASML

28.09.2025 07:48:00 | iXBT.com

ASML недавно заявила, что, исходя из текущей информации о заказах и спроса, в 2027 году она планирует поставить 10 комплектов литографических машин High-NA EUV и 56 комплектов литографических машин EUV.

Intel и Samsung недавно увеличили заказы на литографические машины. Intel увеличила объём заказов на High-NA EUV-системы с 1 до 2 комплектов, а на EUV-системы — с 3 до 5 комплектов. Samsung также увеличила объём заказов на EUV-системы с 5 до 7 комплектов. Также стоит отметить компанию SK Hynix, на долю которой приходится 20 машин EUV-литографии, которые ASML поставит в 2027 году, а также она увеличила объем заказа High-NA EUV с 1 до 2 комплектов. Кроме того, ходят слухи, что SK Hynix планирует в течение следующих двух лет установить 20 установок EUV, все из которых приобретаются для HBM и современных решений по хранению данных.

Фото ASML

Поскольку волна искусственного интеллекта стимулирует развитие полупроводниковой промышленности, инвестиционные институты сохраняют оптимизм относительно долгосрочного спроса на продукцию ASML, поскольку эти полупроводники на базе ИИ, как правило, используют новейшие технологии производства полупроводников. Хотя многие производители полупроводников отложили внедрение следующего поколения High-NA EUV, в целом рыночный спрос на оборудование по-прежнему растет.

Сообщается, что литографическая установка High NA EUV размером с двухэтажный автобус весит до 150 тонн. В собранном виде она больше грузовика и для транспортировки её необходимо упаковать в 250 отдельных ящиков. Ожидается, что в установке примут участие 250 инженеров, а выполнение работ займет шесть месяцев.

Согласно просочившейся информации, стоимость High NA EUV достигает 350 миллионов евро за единицу. Для трёх крупнейших мировых производителей пластин она станет важнейшим инструментом для крупномасштабного массового производства с использованием передовых технологий современнее 2 нм.

Подробнее