Операция выполнена!
Закрыть
Физики Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ) вместе с коллегами из Академического университета имени Ж. И. Алферова, Института проблем машиноведения РАН и Высшей школы экономики изучили механизм формирования трехмерных структур на основе полупроводникового сплава индий-галий-нитрид (InGaN). Результаты исследования опубликованы в ACS Applied Nano Materials.
Читайте также
НОВОСТИ

ПИШИТЕ

Техническая поддержка проекта ВсеТут

info@vsetut.pro