Операция выполнена!
Закрыть
В пресс-службе МФТИ сообщили, что ученые разработали алгоритм, который поможет повысить надёжность новых типов энергонезависимой памяти, основанных на ферроэлектриках. Их модель позволяет заранее предсказывать, как будут меняться напряжения, необходимые для удаления и записи информации, в процессе эксплуатации устройств.
Читайте также
СТАТЬ АВТОРОМ
НОВОСТИ

ПИШИТЕ

Техническая поддержка проекта ВсеТут

info@vsetut.pro